KS-S300-E 单片湿法刻蚀机
1.利用位置、速度可控的摆臂喷洒化学液,可以有效的提高刻蚀均匀性 2.分层式反应腔体设计,可以在同一腔体中喷洒多种化学液,并能有效回收,节约化学液 3.叠层控制,占地面积小,最多可配置4个刻蚀单元
● 半导体制造中湿法刻蚀工艺 ● 高端封装领域中金属层刻蚀,满足UBM及RDL工艺要求 ● OLED 领域中金属及金属氧化物(ITO/IGZO)刻蚀、缓冲层成膜前的表面(SiO2)刻蚀清洗等工艺
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